●Advanced Process Technology
●Ultra Low On-Resistance
●Dynamic dv/dt Rating
●175 degree Operating Temperature
●Fast Switching
●Fully Avalanche Rated
●Lead-Free
apibūdinimas
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
TO-220 paketas yra visuotinai naudojamas visoms komercinėms ir pramoninėms reikmėms, kai galios išsklaidymo lygis yra maždaug 50 vatų. Maža TO-220 šiluminė varža ir nedidelė pakuotės kaina prisideda prie jo pripažinimo visoje pramonėje.
Populiarus Žymos: irf540npbf, Kinija, tiekėjai, gamintojai, didmeninė prekyba, sandėlyje
